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Behavior of Highly Te doped InGaAs
상세 프로파일
| 자료유형 | E-Book |
|---|---|
| 개인저자 | Kennon, Ethan Lowell. |
| 단체저자명 | University of Florida. Materials Science and Engineering. |
| 서명/저자사항 | Behavior of Highly Te doped InGaAs. |
| 발행사항 | [S.l.] : University of Florida., 2017 |
| 발행사항 | Ann Arbor : ProQuest Dissertations & Theses, 2017 |
| 형태사항 | 165 p. |
| 소장본 주기 | School code: 0070. |
| ISBN | 9780438120655 |
| 일반주기 |
Source: Dissertation Abstracts International, Volume: 79-11(E), Section: B.
|
| 요약 | The exponential growth of semiconductor technology has allowed it to reach the prevalence that we see today. In order for growth to continue, new materials such as InGaAs will be needed, but the contact resistivity of these materials is troubles |
| 일반주제명 | Materials science. Engineering. Electrical engineering. |
| 언어 | 영어 |
| 기본자료 저록 | Dissertation Abstracts International79-11B(E). Dissertation Abstract International |
| 대출바로가기 | http://www.riss.kr/pdu/ddodLink.do?id=T15000397 |
소장정보
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인쇄
| No. | 등록번호 | 청구기호 | 소장처 | 도서상태 | 반납예정일 | 예약 | 서비스 | 매체정보 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | WE00025075 | 620.11 | 가야대학교// | 대출가능 |
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