| LDR | | 00995cam 2200253 c 4500 |
| 001 | | 000000149590 |
| 005 | | 20101029134315 |
| 008 | | 910904s1990 a 000 kor |
| 020 | |
▼g (기증) |
| 040 | |
▼a 247024
▼d 248032 |
| 041 | 0 |
▼a kor
▼b eng |
| 049 | 1 |
▼l GM00033078
▼f DP |
| 052 | 01 |
▼a 569.8
▼b 최725ㄷ |
| 056 | |
▼a 569.4
▼2 3 |
| 090 | |
▼a 569.4
▼b 최45ㄷ |
| 100 | 1 |
▼a 崔福吉 |
| 245 | |
▼a 多孔質 실리콘 酸化膜의 電氣傳導機構와 誘電特性에 關한 硏究 :
▼x (A)study on the electrical conduction mechanism and dielectric properties of oxidized porous silicon films /
▼d 崔福吉. |
| 260 | |
▼a 서울 :
▼b 高麗大學校,
▼c 1990. |
| 300 | |
▼a vi,94장:
▼b 삽도 ;
▼c 26cm. |
| 502 | 1 |
▼a 학위논문(박사)
▼b 高麗大學校 大學院:
▼c 電氣工學科,
▼d 1990 |
| 653 | |
▼a 다공질실리콘
▼a 실리콘산화막
▼a 전기전도기구
▼a ELECTRICAL
▼a CONDUCTION
▼a MECHANISM
▼a DIELECTRIC
▼a PROPERTIES
▼a OXIDIZED
▼a POROUS
▼a SILICON
▼a FILMS
▼a 반도체소자 |
| 950 | 0 |
▼a [비매품]
▼b ￦5200 |
| 965 | |
▼a 반도체소자
▼x 실리콘산화막 |