| LDR | 00995cam 2200253 c 4500 | |
|---|---|---|
| 001 | 000000146965 | |
| 005 | 20100507104826 | |
| 008 | 990223s1985 a 000 kor | |
| 040 | ▼a 247024 ▼d 248032 | |
| 041 | 0 | ▼a kor ▼b eng |
| 049 | 1 | ▼l GM00010187 ▼f DM |
| 052 | 01 | ▼a 569.8 ▼b 박772ㅅ |
| 056 | ▼a 569.4423 | |
| 090 | ▼a 569.4 ▼b 박95사 | |
| 100 | 1 | ▼a 朴孝德 |
| 245 | 10 | ▼a CVD法으로 製造된 SnO2薄膜의 特性 / ▼d 朴孝德. |
| 260 | ▼a 대구 : ▼b 慶北大學校, ▼c 1985. | |
| 300 | ▼a 31p: ▼b 삽도 ; ▼c 27cm. | |
| 502 | 0 | ▼a 학위논문(석사) ▼b 慶北大學校 大學院: ▼c 電子工學科 電子物性專攻, ▼d 1985 |
| 653 | ▼a CVD법 ▼a SNO2박막 ▼a 전자물성 ▼a 반도체박막a박막 | |
| 740 | 0 | ▼a 시비디법으로 제조된 에스엔오투박막의 특성 ▼a 반도체 박막 |
| 950 | 0 | ▼b ￦2200 |
| 965 | ▼a 반도체 박막 | |
| 007 | ta |